ماسفت smd (vnn1nv04ptr-e)

مشخصات فنی VNN1NV04PTR

1. ساختار:
   • MOSFET از نوع N-channel.
2. ولتاژ و جریان:
   • ولتاژ Drain-Source (VDS): حداکثر 40 ولت.
   • جریان Drain (ID): حداکثر 1.7 آمپر (در دمای 25 درجه سلسیوس).
   • حداکثر توان تلفاتی (Ptot): 2.5 وات.
3. مقاومت روشن (RDS(on)):
   • حدود 0.35 اهم در ولتاژ Gate-Source برابر با 5 ولت.
4. ولتاژ Gate-Threshold (VGS(th)):
   • بین 1 ولت تا 2.5 ولت.
5. سرعت سوئیچینگ:
   • طراحی شده برای سوئیچینگ سریع.
   • مناسب برای کاربردهای با فرکانس بالا.
6. حفاظت داخلی:
   • دارای حفاظت در برابر ولتاژهای گذرا (ESD).
   • مناسب برای استفاده در محیط‌های صنعتی و خودرویی.
7. عملکرد دمایی:
   • بازه دمای کاری: -40 تا +150 درجه سلسیوس.
8. بسته‌بندی:
   • معمولاً در پکیج SOT-223 عرضه می‌شود (بسته‌بندی مناسب برای نصب سطحی SMD).